詳解單片機(jī)FLASH與RAM、ROM的關(guān)系
2017-11-20 14:19:18
單片機(jī)FLASH主要用作程序存貯器，就是替代以前的ROM，最大的優(yōu)勢是降低了芯片的成本并且能夠做到電擦寫，目前市場上單片機(jī)的FALSH壽命參差不齊，擦寫次數(shù)從1000~10萬的都有，但存儲時間有40年，在選用時要注意。 還有一些廉價的單片機(jī)為了集成可掉電的數(shù)據(jù)存儲器，沒有使用價格昂貴的 EEPROM，而用FALSH來做的，但是壽命最多就10萬次，并且擦寫不能字節(jié)擦寫，這要注意使用的場合其壽命能不能滿足需求。
RAM是數(shù)據(jù)存儲器，跟計(jì)算機(jī)里面的內(nèi)存相似，主要是用來存放程序運(yùn)行中的過程數(shù)據(jù)，掉電后就會丟失之前的數(shù)據(jù)，所以程序在上電時需要進(jìn)行初始化，不然通電后的數(shù)據(jù)是一個隨機(jī)數(shù)，可能導(dǎo)致程序崩潰。
ROM就是程序存儲器，掉電后數(shù)據(jù)不會丟失，但在程序運(yùn)行過程中其數(shù)據(jù)不會改變。早期的單片機(jī)的ROM因?yàn)椴翆懶薷谋容^麻煩，價格昂貴或者價格低廉的OTP 型無法修改數(shù)據(jù)等原因已經(jīng)被現(xiàn)在的FLASH存儲器替代了。因?yàn)镕LASH的擦寫很容易，現(xiàn)在的部分單片機(jī)支持在線內(nèi)部編程，通過特定的程序執(zhí)行方式能修改FALSH的內(nèi)容，而是現(xiàn)在線修改程序存儲器。這與上面說的程序存儲器的內(nèi)容在運(yùn)行的時候不可被改變是不沖突的，因?yàn)樵诔绦蛘＿\(yùn)行時，其內(nèi)容不會改變，只工作在只讀狀態(tài)下的.
深圳市英尚微電子有限公司，十年來專業(yè)致力代理分銷存儲器芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產(chǎn)品及方案。
了解更多關(guān)于存儲芯片知識，請關(guān)注英尚微電子：http://www.zsjxhg.com
